1、Si的还原性强于C,是因为Si原子半径大于C,壳层电子受到核电荷力的约束比较小,从而更容易失电子,所以还原性更强。
2、碳还原二氧化硅的产物为CO,而不是CO与还原性的强弱关系不会发生矛盾。注意该反应是高温干态的反应,符合“高沸点物质制取低沸点物质”的原则,C的沸点高于Si,低沸点物质Si生成以后会气化脱离反应体系,不断脱离会使反应持续进行下去,直至耗尽。。
1、Si的还原性强于C,是因为Si原子半径大于C,壳层电子受到核电荷力的约束比较小,从而更容易失电子,所以还原性更强。
2、碳还原二氧化硅的产物为CO,而不是CO与还原性的强弱关系不会发生矛盾。注意该反应是高温干态的反应,符合“高沸点物质制取低沸点物质”的原则,C的沸点高于Si,低沸点物质Si生成以后会气化脱离反应体系,不断脱离会使反应持续进行下去,直至耗尽。。
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