EPC已推出具有6.8mΩ沟道的170V GaN功率晶体管
发布时间：2024-10-15 00:03:43来源：
称为EPC2059，“它们旨在满足48V – 56V服务器和数据中心产品以及高端计算(包括游戏PC，LCD TV，LED TV和LED照明)的一系列消费电源应用的需求”，据该公司。
它的目标是在100W至6kW之间的AC-DC电源(例如80 Plus Titanium PSU)中进行DC-DC次级同步整流。
首席执行官Alex Lidow声称，与在400V至48V转换器中以1MHz进行电阻切换时等效的硅mosfet相比，损耗和运行温度低10°C的六分之一。
仅提供2.8 x 1.4mm裸片形式，额定连续电流为24A，脉冲额定电流为102A。
栅极设计为以5V运行，以开启器件，但最大栅极偏移接近+ 6V(和-4V)。
最大栅极电荷为7.4nC(85V漏极，5V栅极，10A漏极)–或通常为5.7nC。
随零件一起提供的是51 x 51mm EPC9098开发板，它可以吸收高达170V的电压并提供高达17A的电流。它具有一个由两个EPC2059晶体管构成的半桥，以及一个Texas Instruments LMG1210栅极驱动器。
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