三星晶圆厂将成为第一家半导体半导体制造商，该公司将在其即将到来的3纳米制造工艺中开始使用类似全栅场效应晶体管(GAAFET)的结构。该节点尚未准备就绪，但在IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上，三星铸造的工程师分享了有关即将推出的3 nm GAE MBCFET(多桥沟道FET)制造技术的一些细节。

正式地，有两种类型的GAAFET：典型的GAAFET，称为具有“薄”鳍的纳米线，以及MBCFET，称为具有“厚”鳍的纳米片。在两种情况下，栅极材料在所有侧面上都围绕沟道区。纳米线和纳米片的实际实现方式在很大程度上取决于设计，因此，一般而言，许多行业观察家用术语GAAFET来描述两者。但是以前它们被称为环绕栅晶体管(SGT)。同时，MBCFET是 三星的 商标。

三星

1988年首次展示了GAAFET，因此该技术的关键优势众所周知。这种晶体管的结构使得设计人员可以通过调节晶体管通道的宽度(也称为有效宽度或Weff)来精确地对其进行调谐，以实现高性能或低功耗。较宽的薄片可以在更高的功率下实现更高的性能，而较薄/较窄的薄片可以降低功耗和性能。为了对FinFET做类似的事情，工程师必须使用额外的鳍来改善性能。但是在这种情况下，晶体管通道的“宽度”只能增加一倍或两倍，这并不是很精确，有时效率很低。另外，由于不同的晶体管可以用于不同的目的，因此通过调整GAAFET可以提高晶体管的密度。